[发明专利]栅下体引出高可靠LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 201210103801.1 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623507A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，包括：在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体注入区；通过体引出引出并抽取所述体注入区附近载流子，控制所述体注入区附近电位。本发明提供的一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，通过栅变形或者STI隔离等手段，在LDMOS功率器件的栅下注入形成体接触区域并通过金属有效引出，抽取栅下体接触区附件载流子，控制栅下体接触区附件电位，抑制了因体电位升高而导致的漏电流升高，避免了由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 下体 引出 可靠 ldmos 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，其特征在于，包括：在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体注入区；通过体引出引出并抽取所述体注入区附近载流子，控制所述体注入区附近电位。
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