[发明专利]一种硅片曝光方法及装置有效
| 申请号： | 201210103994.0 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103365106A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 段立峰;马明英;蔡良斌;李术新;王献英 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种光刻装置硅片曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）按照一定规则选取位于工件台上的硅片上的测量点；（2）使用测量系统测量选取好的测量点的位置数据；（3）对位置数据进行拟合，得到硅片面形；（4）计算硅片上每个曝光场的调焦调平参数；（5）根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平；（6）对硅片进行曝光。本发明提出的一种硅片曝光的方法以曝光场为单位进行调焦调平，保证每个曝光场在焦深范围内进行曝光，从而保证每个曝光场的成像质量；因对硅片所有曝光场都进行调焦调平，大大提高了曝光场的曝光质量，从而提高了硅片的良率与产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种光刻装置硅片曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）按照一定规则选取位于工件台上的硅片上的测量点；（2）使用测量系统测量选取好的测量点的位置数据；（3）对位置数据进行拟合，得到硅片面形；（4）计算硅片上每个曝光场的调焦调平参数；（5）根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平；（6）对硅片进行曝光。
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