[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统有效
申请号: | 201210104156.5 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN103365073A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域,公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,包括:极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上;所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛;所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜,实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光刻 缺陷 检测 系统 | ||
【主权项】:
一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,其特征在于,包括:极紫外光源、用于传输光信号的极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、用于采集暗场像并确定缺陷类型和缺陷位置的采集及分析部分;所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上;所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛;所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210104156.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:水或液体介质蒸汽非冷凝循环发电系统
- 下一篇:一种涡轮结构及应用其的发动机
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备