[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统有效

专利信息
申请号: 201210104156.5 申请日: 2012-04-10
公开(公告)号: CN103365073A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域,公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,包括:极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上;所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛;所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜,实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
搜索关键词: 紫外 光刻 缺陷 检测 系统
【主权项】:
一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,其特征在于,包括:极紫外光源、用于传输光信号的极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、用于采集暗场像并确定缺陷类型和缺陷位置的采集及分析部分;所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上;所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛;所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析部分。
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