[发明专利]用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法有效
| 申请号： | 201210104185.1 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102738119A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 余振华;张正宏;廖鄂斌;余佳霖;王湘仪;张俊华;黄立贤;郭智维;吴仓聚;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 衬底 贯穿 硅通孔 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有顶面；开口，所述开口从所述顶面延伸至所述半导体衬底中，其中所述开口包括内表面；具有第一压缩应力的第一介电衬里，所述第一介电衬里设置在所述开口的所述内表面上；具有拉伸应力的第二介电衬里，所述第二介电衬里设置在所述第一介电衬里上；具有第二压缩应力的第三介电衬里，所述第三介电衬里设置在所述第二介电衬里上；金属阻挡层，所述金属阻挡层设置在所述第三介电衬里上；以及导电材料，所述导电材料设置在所述金属阻挡层上并填充所述开口。
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