[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法。制备艺如下：提供一p型Si衬底；在其上方扩散法形成第一子电池，具有一第一带隙；在第一子电池上方外延生长组分渐变的GaAsxP1-x渐变缓冲层，具有大于第一带隙的第二带隙；在渐变缓冲层上方形成GaAsP第二子电池，有大于第一带隙的第三带隙；在第二子电池的上方形成InGaP第三子电池，具有大于第三带隙的第四带隙，其晶格常数与第二子电池匹配。通过同时调节GaAsxP1-x第二子电池和InyGa1-yP第三子电池中As和P的组分x、y，可以实现两结电池在晶格匹配的情况下，带隙组合的多样性，此举大大拓宽了多结太阳能电池的选择空间。

主权项

三结太阳能电池的制备方法，包括步骤：提供一p型Si衬底，用于半导体外延生长；在所述Si衬底上方通过扩散法形成n型区域，作为发射区，衬底本身作为基区，从而形成第一子电池，其具有第一带隙；在所述第一子电池上方外延生长GaAsxP1‑x渐变缓冲层，其为组分渐变的多层结构，x变化范围为0.05~0.95，其具有大于第一带隙的第二带隙；在所述的GaAsxP1‑x渐变缓冲层上方形成GaAsP第二子电池，其具有大于第一带隙的第三带隙，其晶格常数与所述渐变缓冲层的终止层匹配；在所述第二子电池的上方形成InGaP第三子电池，其具有大于第三带隙的第四带隙，其晶格常数与所述第二子电池匹配。