[发明专利]岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法无效
| 申请号： | 201210105253.6 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102616830A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张明喆;赵瑞;姚彬彬;邱明泽 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。 | ||
| 搜索关键词： | 岩盐 结构 co 掺杂 cds 半导体 纳米 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法，以Co含量按原子比为0.136～0.148％的闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在六面顶压机上完成；首先将初始原料粉加压成型，装入反应腔体，采用石墨管进行旁路加热，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。
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