[发明专利]一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法

摘要

本发明的一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法涉及室温下气液相化学沉积制备纳米材料的技术领域。首先将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水配制成待反应液；其次将待反应液放入密封反应室，缓慢通入过量H2S气体得到沉积溶液；最后微波加热沉积溶液再去离子水和乙醇离心清洗。本发明方法制得的In2S3:Eu3+纳米颗粒具有较高的室温饱和磁化强度，饱和磁化强度能由铕掺杂含量和充入H2S气体快慢得到控制；实验条件稳定易于操作，重复性好，便于规模化生产。

主权项

一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法，在封闭的反应室内进行，反应室上有进气孔道和排气孔道；首先配制待反应液：将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水混合均匀，用磁力搅拌机搅拌，配制成待反应液；其中按摩尔比乙酸铟∶乙酸铕∶巯基乙醇为1∶0.01～0.04∶1～1.5，待反应液的浓度以乙酸铟摩尔量计为2mmol/L；其次进行气液相化学沉积反应：把配置好的待反应液倒入反应室内，密封反应室，通过进气孔道向反应室内通入N2气体，以排空反应室内的氧气，再通过进气孔道通入H2S气体，实现气液表面反应；其中H2S气体的总量与待反应液中的乙酸铟的摩尔量之比为3～20∶1；随着H2S不断的充入反应室，得到沉积溶液；最后提取反应后所得沉积溶液：分别用去离子水和乙醇对沉积溶液进行离心清洗，将得到的掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料保存为固体或液体。