[发明专利]一种晶硅太阳能电池去死层方法

摘要

本发明一种晶硅太阳能电池去死层方法；属于光伏技术领域。含有以下步骤；步骤1；将原硅片进行制绒；步骤2；进行扩散；步骤3；进行等离子刻蚀；步骤4；进行去磷硅；步骤5；进行HNO3腐蚀；步骤6；进行去磷硅；步骤7；进行PECVD镀膜；步骤8；进行丝印烧结；步骤9；进行测试分选；本发明的优点是：a)去磷硅后的硅片在硝酸中浸泡腐蚀可以去除表面含高浓度磷的薄层，能达到去死层的目的。方阻提高了1-3Ω，最终提升了电池的短流和串阻以至于效率提升1.0％-1.4％。b)在硝酸浸泡腐蚀只在硅片表面形成一层很薄的氧化层，反应会自停止，不会对PN结造成明显破坏。

主权项

一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于含有以下步骤；步骤1；将原硅片进行制绒；步骤2；进行扩散；步骤3；进行等离子刻蚀；步骤4；进行去磷硅；步骤5；进行HNO3腐蚀；步骤6；进行去磷硅；步骤7；进行PECVD镀膜；步骤8；进行丝印烧结；步骤9；进行测试分选；溶液配比及浸泡时间均可以调整；所配溶液为HNO3(类别：EL；含量：65.0‑68.0％)∶H2O(纯水)＝1∶2或1∶3；硅片在硝酸溶液中浸泡时间2min‑5min，之后再进行去离子水洗为2min。