[发明专利]碲化镉薄膜太阳能电池的高阻层的制作方法

摘要

本发明提供了一种碲化镉薄膜太阳能电池的高阻层的制作方法，是在交流磁控溅射仪中加热FTO透明导电玻璃至450–520oC，再于磁控溅射腔体中，氩气保护和0.1-0.4mbar压强条件下在FTO透明导电玻璃上磁控溅射沉积本征氧化锡；氧化锡的结晶状况较佳；而且，通过控制磁控溅射靶材中氧与锡的比例来控制所沉积薄膜中氧空位的数量，减少了氧空位的产生，降低其导电特性，产品绝缘特性好，从而克服化学气相沉积等方法导致的高阻层绝缘特性不佳的问题，所得高阻层表面平滑，粗糙度低，而具有该方法所得高阻层的碲化镉薄膜太阳能电池的初始转换效率、开路电压、填充因子更高，电池性能更优异。

主权项

一种碲化镉薄膜太阳能电池的高阻层的制作方法，是在FTO透明导电玻璃上沉积高阻层，所述高阻层的材料为本征氧化锡，其特征在于：包括如下步骤：（1）在交流磁控溅射仪中加热FTO透明导电玻璃至450–520oC；（2）在磁控溅射腔体中，于氩气保护和0.1‑0.4mbar压强条件下在FTO透明导电玻璃上磁控溅射沉积本征氧化锡。