[发明专利]一种准减压外延生长方法有效
| 申请号： | 201210105604.3 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102618923A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王震;田达晰;张世波;梁兴勃;陈华;李慎重 | 申请（专利权）人： | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 315800 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种准减压外延生长方法，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。本发明通过在常压硅外延生长系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态，从而达到减压外延的效果。通过此方法，克服了传统减压外延所需要的复杂的减压设备问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减压 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种准减压外延生长方法，其特征在于，在常压反应系统中，以惰性气体氩气为载气和填充气，以三氯氢硅和氢气为反应气体，来达到减压外延条件下反应系统所处的平衡状态。
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