[发明专利]激光剥离装置及激光剥离方法无效
申请号: | 201210105719.2 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103295947A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 野村彻;松田僚三;筱山一城;鸣海惠司 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/268 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种激光剥离装置,将变形的工件不会使其损坏地保持并照射激光,进行激光剥离处理。层叠有蓝宝石基板(1a)、材料层(1b)、支承基板(1c)的、例如向下凸出地变形的工件(1),在三点支承而配置在设于载物台(20)的支承机构(10)的支承杆(12)上。载物台(20)被放载置于传送带那样的输送机构(2)上,利用输送机构(2)以规定的速度进行输送。工件(1)一边与载物台(20)一起被输送,一边照射穿过基板(1a)而从未图示的脉冲激光源射出的脉冲激光L。由于不必将变形的工件(1)矫正成平面状,以变形状态原封不动地支承而进行激光剥离处理,因此即使工件大幅变形,也能够不使工件损坏而进行处理。 | ||
搜索关键词: | 激光 剥离 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种激光剥离装置,在基板上形成有材料层,对向上凸出或凹下变形的工件,一边使该工件与来自激光源的激光相对地移动,一边从该激光源照射透过所述基板的波长域的激光,将该材料层从该基板剥离,其特征在于,所述激光剥离装置具备载物台,该载物台具备支承所述工件的支承机构,该支承机构具备在从该载物台突出的三点,以变形后的状态原样支承该工件的工件支承体,上述激光源对所述变形的工件照射超过所述材料层的分解临界值的能级的激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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