[发明专利]一种沟槽MOS半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210106412.4 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367437B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种沟槽MOS半导体装置，使用金属或金属与半导体材料形成的化合物替代传统MOS器件的半导体材料源区，简化了器件的结构和制造工艺；本发明还提出一种沟槽MOS半导体装置的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料形成栅极，沟槽底部不与衬底层相连；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于沟槽之间，临靠沟槽和半导体装置表面，体区中临靠沟槽的区域为轻掺杂区域，体区的轻掺杂区域之间上部且临靠半导体装置表面为重掺杂区域；源区，为金属或金属与半导体材料烧结形成的化合物，位于体区的轻掺杂区域表面临靠沟槽侧壁，源区与体区轻掺杂区域形成肖特基势垒结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱江，未经朱江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210106412.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可蒸蛋的电水壶
- 下一篇：一种超级结肖特基半导体装置及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
