[发明专利]发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法无效
| 申请号： | 201210106607.9 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378249A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;武良文 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法，用以提升外部量子效率，其至少包含有一半导体层，该半导体层内部包含有一具有多个间隔区的粗化层，每一间隔区中具有至少一介电材料层，该至少一介电材料层呈倒金字塔型，该至少一介电材料层的部分须露出于该粗化层之外，透过利用该介电材料层作为光的散射界面，使得自发光层放射的光子能藉由介电材料层的散射效应及间隔区呈斜切的内侧面以帮助提升光子射出于发光二极管之外的机率，如此可降低全反射发生的机率，藉以达成提升外部量子效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 具有 材料 半导体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的具有介电材料层的半导体层，用以提升外部量子效率，其特征在于，该发光二极管的具有介电材料层的半导体层至少包含有一半导体层，其中该半导体层内部包含有一具有多个间隔区的粗化层，每一间隔区中具有至少一介电材料层，该至少一介电材料层呈倒金字塔型，且该至少一介电材料层的部分露出于该粗化层之外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于璨圆光电股份有限公司，未经璨圆光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210106607.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
