[发明专利]用双放大效应分子印迹电化学传感器检测微量土霉素的方法无效

专利信息
申请号: 201210107287.9 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN102621216A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 李建平;李玉平;魏小平 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: G01N27/48 分类号: G01N27/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种用双放大效应分子印迹电化学传感器检测微量土霉素的方法。当待测分子土霉素与电极表面的土霉素分子印迹膜上葡萄糖氧化酶标记的土霉素进行竞争取代时,普鲁士蓝催化过氧化氢在铂电极上的电化学信号发生变化,据此建立了一种测定痕量土霉素的电化学分析方法。差分脉冲伏安法对待测液进行扫描,扫描电压0.5~-0.3V,土霉素在0~1×10-7mol/L和1×10-7~1×10-6mol/L浓度范围内与峰电流减少值Δi呈良好的线性关系。本发明克服了已有技术在检测时存在过于复杂等诸多缺点,更好地提高了灵敏度和选择性,对于低浓度土霉素的检测易于自动化。
搜索关键词: 放大 效应 分子 印迹 电化学传感器 检测 微量 土霉素 方法
【主权项】:
一种用双放大效应分子印迹电化学传感器检测微量土霉素的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)铂电极的处理:将铂电极依次用1.0~0.05μm的氧化铝粉进行表面抛光处理,然后依次在体积百分比浓度为50%的硝酸、无水乙醇和纯水中浸泡洗涤,取出后超声洗涤5min;(2)土霉素分子印迹电化学传感器的制备:将步骤(1)处理干净的铂电极置于含5.0mmol/L聚吡咯、2.0mmol/L FeCl3、2.0mmol/L K3[Fe(CN)6]、0.3mmol/L土霉素、0.1mol/L KCl和0.1mol/L HCl的混合溶液中,在0.36V电沉积30~50s,然后在‑0.1~0.4V间于50mV/s的扫描速率循环扫描10~30圈;用蒸馏水冲洗该铂电极,并置于室温下晾干;再将该铂电极于含0.1mol/L KCl的0.02mol/L、pH=7.0的磷酸盐缓冲溶液中施加‑0.05V的电位5~15min后,在‑0.05~0.36V间扫描5~20圈,用蒸馏水冲洗干净后在室温下晾干,得土霉素分子印迹电化学传感器;(3)检测方法:在15mL小烧杯中加入含0.1mol/L氯化钾的0.02mol/L、pH=7.0的磷酸盐缓冲溶液10mL作为检测体系;将步骤(2)制得的土霉素分子印迹电化学传感器置于葡萄糖氧化酶标记土霉素溶液中孵化15~20min,取出土霉素分子印迹电化学传感器并冲洗其表面,得到孵化完全的土霉素分子印迹电化学传感器;然后将已孵化完全的土霉素分子印迹电化学传感器浸入10mL 0~1.0×10‑7mol/L和1.0×10‑7~1.0×10‑6mol/L浓度范围内的土霉素标准溶液中进行竞争吸附,10min后接入检测体系,选用电化学工作站进行差分脉冲伏安扫描,扫描电压0.5~‑0.3V;(4)标准工作曲线的绘制:在15mL小烧杯中加入10mL含0.1mol/L氯化钾的0.02mol/L、pH=7.0的磷酸盐缓冲溶液;将步骤(3)制得的已孵化完全的土霉素分子印迹电化学传感器浸入10mL土霉素标准溶液中竞争吸附,10min后接入检测体系,选用电化学工作站进行差分脉冲伏安扫描;土霉素在0~1×10‑7mol/L和1×10‑7~1×10‑6mol/L浓度范围内与峰电流减少值Δi呈良好的线性关系:Δi(μA)=‑111.12C‑0.4209,线性相关系数r=0.9972;Δi(μA)=‑48.412C‑6.977,线性相关系数r=0.9985;(5)待测样品中土霉素含量的测定:在15mL小烧杯中加入含0.1mol/L氯化钾的0.02mol/L、pH=7.0的磷酸盐缓冲溶液10mL;将步骤(3)制得的孵化完全的土霉素分子印迹电化学传感器浸入10mL土霉素溶液中竞争吸附,10min后接入检测体系,利用电化学工作站对待测液进行差分脉冲伏安扫描,扫描电压0.5~‑0.3V,得到峰电流值i;根据校正曲线计算出土霉素的浓度C。
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