[发明专利]实现单鳍鳍式场效应晶体管器件的芯更改有效
| 申请号： | 201210107449.9 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103187261A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 谢铭峰;林以唐;何嘉政;张智胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了形成单鳍鳍式场效晶体管FinFET的方法。一种示范性的方法包括提供主掩模布局和齐整掩模布局以形成FinFET器件的鳍状件，其中所述主掩模布局包括第一掩蔽部件以及所述齐整掩模布局包括限定至少二个鳍状件的第二掩蔽部件，所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件具有空间关系；基于所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件的空间关系更改所述主掩模布局，其中更改所述主掩模布局包括更改第一掩蔽部件使得用所更改的主掩模布局和所述齐整掩模布局形成单鳍FinFET器件。本发明还公开了一种实现单鳍鳍式场效应晶体管器件的芯更改。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 单鳍鳍式 场效应 晶体管 器件 更改 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：提供主掩模布局和齐整掩模布局以形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍状件，其中所述主掩模布局包括第一掩蔽部件，所述齐整掩模布局包括限定了至少二个鳍状件的第二掩蔽部件，所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件具有空间关系；以及基于所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件的所述空间关系更改所述主掩模布局，其中更改所述主掩模布局包括更改所述第一掩蔽部件使得用所更改的主掩模布局和所述齐整掩模布局形成单鳍FinFET器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
