[发明专利]一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法有效
| 申请号： | 201210107636.7 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102633229A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;赵泽宇;王长涛;王彦钦;高平;刘玲;冯沁;黄成;杨磊磊;陶兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B3/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;顾炜 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法，其主要步骤为：利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽，然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜，之后利用IBE对多层膜进行刻蚀，得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作，只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后，再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 两次 离子束 刻蚀 技术 制备 成像 平面 透镜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法，其特征在于：该方法的具体步骤如下：步骤(1)在已制备好的半圆柱形沟槽内涂布有机膜层；有机膜层的涂布厚度为4.6～4.8μm，半圆柱形沟槽的径宽800nm～1μm；步骤(2)利用反应离子刻蚀(RIE)将4.6～4.8μm的有机膜层刻蚀到100～200nm厚；步骤(3)利用各种材料在适当条件下的IBE刻蚀速度相差不大的特点，通过控制刻蚀时间，去除剩余的有机膜层后可得到径深为150～200nm，曲率半径为500nm的圆弧形曲面沟槽；步骤(4)在所述步骤(3)得到的结构内沉积厚度为250～300nm的多层膜；步骤(5)在所述步骤(4)得到的结构表面再次涂布有机膜层；有机膜层的涂布厚度为600～700nm；步骤(6)再次利用各种材料在适当条件下的IBE刻蚀速度相差不大的特点，通过控制刻蚀时间得到成像面为平面的超透镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210107636.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改进的石墨坩埚
- 下一篇：多晶炉真空计定位装置及采用该定位装置的多晶炉
