[发明专利]SiC半导体功率器件有效
| 申请号： | 201210107919.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738227A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | R.鲁普;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC半导体功率器件。一种半导体功率器件包括SiC半导体主体。所述SiC半导体主体的至少一部分构成一个漂移区。第一接触件处于SiC半导体主体的第一侧。第二接触件处于SiC半导体主体的第二侧。第一侧与第二侧相对。第一接触件与第二接触件之间的电流路径包括至少一个石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种垂直半导体功率器件，包括：SiC半导体主体，所述SiC半导体主体的至少一部分构成漂移区；处于SiC半导体主体的第一侧的第一接触件；处于SiC半导体主体的第二侧的第二接触件，第一侧与第二侧相对；以及第一接触件与第二接触件之间的包括至少一个石墨烯层的电流路径。
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