[发明专利]近单模准渐变折射率大模场增益光纤及制备方法无效

专利信息
申请号: 201210108838.3 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN102621626A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 段开椋;朱永刚;林傲祥;赵卫 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: G02B6/028 分类号: G02B6/028;G02B6/036;C03B37/014;C03B37/025
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 姚敏杰
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种近单模准渐变折射率大模场增益光纤及制备方法,该增益光纤包括纤芯、包裹于纤芯外部的包层以及设置在增益纤芯和包层之间的环形增益区。本发明提供了一种实现高光束质量的激光输出、能够获得较大的模场面积以及有效提高光纤激光器的输出功率水平的近单模准渐变折射率大模场增益光纤及制备方法。
搜索关键词: 单模 渐变 折射率 大模场 增益 光纤 制备 方法
【主权项】:
一种近单模准渐变折射率大模场增益光纤,包括纤芯以及包裹于纤芯外部的包层,其特征在于:所述近单模准渐变折射率大模场增益光纤还包括设置在纤芯和包层之间的环形增益区。
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