[发明专利]一种蒸发法制备铜铟镓硒太阳能电池吸收层的方法

摘要

本发明涉及一种蒸发法制备铜铟镓硒太阳能电池吸收层的方法，它利用真空蒸发镀膜的方法蒸发硒化亚铜(Cu2Se)、硒化铟(In2Se3)、硒化镓(Ga2Se3)粉末，在衬底上形成铜铟镓硒(CIGS)薄膜。本发明所提供的CIGS薄膜的制备方法只需一种设备，一次成膜，简单易行，通过改变粉末的比例或蒸发速率可以方便的实现对CIGS薄膜内成分的控制，可以有效的降低CIGS薄膜太阳能电池的生产成本和周期。

主权项

一种蒸发法制备铜铟镓硒太阳能电池吸收层的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将粒径均不大于75μm的硒化亚铜粉末、硒化铟粉末和硒化镓粉末按质量百分比为Cu2Se 28％～33％、In2Se3 48％～51％、Ga2Se3 19％～21％的比例混合均匀，放到真空镀膜机中的蒸发源处；(2)在真空度大于3×10‑3Pa的条件下，加热衬底，使衬底的温度达到150℃～450℃，然后，蒸发源以350～450℃/min的升温速度升温至1200℃，对混合粉末进行加热1.5～4min，混合粉末经加热蒸发并沉积于衬底上，制得铜铟镓硒太阳能电池吸收层。