[发明专利]肖特基位障二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210109360.6 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378133A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 管杰雄;廖庭维;邱建维;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种肖特基位障二极管(Schottky barrier diode，SBD)及其制造方法。肖特基位障二极管包含：半导体层，具有多个开口，以形成开口矩阵；以及阳极，具有形成于多个开口中的多个导电突出部，以形成导电矩阵；其中，该半导体层与阳极间，形成肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基位障 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基位障二极管，其特征在于，包含：一半导体层，具有多个开口，以形成一开口矩阵；以及一阳极，具有形成于该多个开口中的多个导电突出部，以形成一导电矩阵；其中，该半导体层与该阳极间，形成肖特基接触。
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