[发明专利]多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

摘要

本发明公开一种多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，包括循环执行如下步骤：在电容区制作水平方向的第一多层绝缘体；以及位于所述第一多层绝缘体上的第二高K值氮化硅薄膜；在非电容区沉积低k值介质层；在所述第二高K值氮化硅薄膜上制作第一金属槽，所述第一金属槽底端接触所述第一多层绝缘体上表面，在所述低k值介质层与所述第一多层绝缘体在竖直方向上无重叠的区域制作第二金属槽；在所述第一金属槽中制作侧墙以形成通孔，所述侧墙为第二高K值氧化硅；在所述通孔和金属槽中填充金属后进行化学机械研磨。提高层间电容器的电容，改善MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种多层金属‑多层绝缘体‑金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，制作第一多层绝缘体，所述第一多层绝缘体包括若干由下至上依次相叠的第一高K值氧化硅薄膜和第一高K值氮化硅薄膜；步骤2，在所述第一多层绝缘体上沉积形成第二高K值氮化硅薄膜；步骤3，刻蚀去除部分所述第一多层绝缘体以及第二高K值氮化硅薄膜；步骤4，沉淀低k值介质层覆盖所述步骤2中剩余的部分所述第一多层绝缘体以及第二高K值氮化硅薄膜；步骤5，化学机械研磨所述低k值介质层上表面并使所述第二高K值氮化硅薄膜暴露；步骤6，在所述第二高K值氮化硅薄膜上制作第一金属槽，所述第一金属槽底端接触所述第一多层绝缘体上表面，在所述低k值介质层与所述第一多层绝缘体在竖直方向上无重叠的区域制作第二金属槽；步骤7，在所述第一金属槽中制作侧墙以形成通孔，所述侧墙为第二高K值氧化硅；步骤8，在所述通孔和金属槽中填充金属后进行化学机械研磨。