[发明专利]用于在晶片基材上沉积来自于工艺气体的材料层的方法和装置有效
| 申请号： | 201210109937.3 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102751181A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | G·布伦宁格;A·艾格纳;C·哈格尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于在晶片基材上沉积来自于工艺气体的材料层的装置，所述装置包含：反应室，其由上圆顶、下圆底和侧壁定界；基座，其在材料层沉积过程中支撑所述晶片基材；环绕基座的预热环；内衬，所述预热环被支撑在其中心位置，并在所述中心位置在预热环和基座之间有一致宽度的间隙；和在内衬和预热环之间的定距物，所述定距物保持预热环在中心位置和在预热环和内衬之间提供间距Δ。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 基材 沉积 来自于 工艺 气体 材料 方法 装置 | ||
【主权项】：
用于在晶片基材上沉积来自于工艺气体的材料层的装置，所述装置包含：反应室，其由上圆顶、下圆底和侧壁定界；基座，其在材料层沉积过程中支撑所述晶片基材；环绕基座的预热环；内衬，所述预热环被支撑在其中心位置，并在所述中心位置预热环和基座之间具有一致宽度的间隙；和在内衬和预热环之间的定距物，所述定距物保持预热环在中心位置和在预热环和内衬之间提供间距Δ。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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