[发明专利]一种超疏水表面的制备方法无效
| 申请号： | 201210110100.0 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102632031A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 胡吉明;伍廉奎 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B05D5/08 | 分类号： | B05D5/08;C25D9/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现导电固体表面超疏水化的制备方法。首先，在导电固体表面通过电沉积技术沉积一层粗糙多孔的二氧化硅薄膜，然后采用长链烷基硅氧烷水解液对沉积表面进行修饰，即可得到与水的接触角大于150°的超疏水表面。上述超疏水化表面的制备方法具有广适性，可适用于多种导电固体表面，如金属（及合金）、导电玻璃与导电聚合物，而且适合形状不规则的基体，该制备方法工艺简单，条件温和，制备成本低，并且，制备得到的超疏水表面具有良好的抗酸碱稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 表面 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超疏水表面的制备方法，其特征在于它的步骤如下： 1）将0.5~10 mL正硅酸乙酯或正硅酸甲酯滴加到10~50 mL水与10~50mL乙醇或甲醇组成的混合溶液中，用醋酸调节pH至2.0~5.0，室温水解0.5~48h，得到沉积液；将待沉积的基体置于沉积液中作为阴极，以石墨或铂片为辅助电极，在0.1~10.0mA/cm2电流下电沉积1~ 30min，得到覆盖有纳米多孔性的、粗糙的二氧化硅薄膜的基体；2)将覆盖有纳米多孔性的、粗糙的二氧化硅薄膜的基体浸入长链烷基硅氧烷溶液中2~10min之后取出，20~120℃固化10~60min。
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