[发明专利]具有多个应力结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210110303.X | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103066124A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吕伟元;黄立平;蔡瀚霆;王维敬;李明轩;杨学人;陈冠仲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了具有多个错位结构的半导体器件及其制造方法。示例性半导体器件包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；以及第一栅极隔离件，设置在栅极结构的侧壁上并覆盖衬底的顶面。半导体器件还包括结晶半导体材料，其覆盖半导体衬底的表面并与第一栅极隔离件的侧壁相邻。半导体器件还包括第二栅极隔离件，其设置在第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖结晶半导体材料。半导体器件还包括：第一应力器件区域，设置在半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在半导体衬底和结晶半导体材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；第一栅极隔离件，设置在所述栅极结构的侧壁上并覆盖所述衬底的顶面；结晶半导体材料，覆盖所述半导体衬底的顶面并与所述第一栅极隔离件的侧壁相邻；第二栅极隔离件，设置在所述第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖所述结晶半导体材料；第一应力器件区域，设置在所述半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在所述半导体衬底和所述结晶半导体材料中，其中，所述第一应力器件区域与所述栅极结构的中心线相距第一水平距离，所述第二应力器件区域与所述栅极结构的中心线相距第二水平距离，所述第二水平距离大于所述第一水平距离。
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