[发明专利]一种氮化镓基多结换能单元同位素电池有效

专利信息
申请号: 201210110741.6 申请日: 2012-04-17
公开(公告)号: CN102610289A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 王关全;杨玉青;胡睿;刘业兵;徐建;李昊;张华明;钟正坤;罗顺忠 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: G21H1/06 分类号: G21H1/06
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 翟长明;韩志英
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种氮化镓基多结换能单元同位素电池,所述的同位素电池包括氮化镓基多结换能单元和辅助部件。在换能单元中的上面P+型层或N+型层制作正面电极,下面N+型层或P+型层制作台阶电极,并由正负引线连接至正负电极柱;辅助部件中的放射源片置于换能单元正面正中央;以上部分通过绝缘胶固定于底座正中央;放射源片至底座之间排布的各部分均通过内封装层固定,在内封装层的外围包覆有外封装层;正负电极柱垂直于底座,并穿过底座、内封装层和外封装层。本发明的同位素电池体型微小,工作时不需要外界提供能量,能够实现输出电流的短路电流100nA~1μA、开路电压0.8V~1.5V;可保持6年以上不间断地输出电流。
搜索关键词: 一种 氮化 基多 结换能 单元 同位素 电池
【主权项】:
一种氮化镓基多结换能单元同位素电池,其特征是:所述的同位素电池含有氮化镓基多结换能单元和辅助部件;所述的换能单元包括蓝宝石基底(18)、缓冲层(16)、N氮化镓层(14)、N+氮化镓层(15),i氮化镓层(13),P+氮化镓层(11)、P氮化镓层(12),SiO2保护层(10)、正面电极(2)以及台阶电极(5);氮化镓基多结换能单元中各部分的排列关系是,SiO2保护层(10)、P+氮化镓层(11)、P氮化镓层(12)、i氮化镓层(13)、N氮化镓层(14)、N+氮化镓层(15)、缓冲层(16)、蓝宝石基底(18)从上至下依次排布,在P+氮化镓层(11)表面制作正面电极(2)且不被SiO2保护层(10)覆盖,在N+氮化镓层(15)裸露的环形表面制作台阶电极(5),构成P+PiNN+型的氮化镓基多结换能单元;所述的辅助部件包括放射源片(1)、外封装层(3)、内封装层(4)、正引线(6)、负引线(17)、正电极柱(9)、负电极柱(19)、绝缘胶(7)以及底座(8);辅助部件中各部分的排列关系是,放射源片(1)置于SiO2保护层(10)之上正中央,在蓝宝石基底(18)正下方与底座(8)正上方之间设置有绝缘胶(7),正引线(6)的一端连接在正面电极(2)上,另一端连接在正电极柱(9)上;负引线(17)的一端连接在台阶电极(5)上,另一端连接在负电极柱(19)上;所述的放射源片(1)至底座(8)之间排布的各部分均通过内封装层(4)固定,在内封装层(4)的外围包覆有外封装层(3);正电极柱(9)、负电极柱(19)分别垂直于底座(8),并穿过底座(8)、内封装层(4)和外封装层(3)。
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