[发明专利]用真空气相沉积膜对毫米波电路组件进行防护处理的方法无效
| 申请号： | 201210111123.3 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102637609A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 敖辽辉;仝晓刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610036 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了用真空气相沉积膜层对毫米波电路组件进行防护处理的方法，利用本方法可显著地提高毫米波电路组件的抗腐蚀能力和长期工作可靠性，可大大减少体积和重量，无需采用金属外壳气密封装防护处理的方法。本发明通过下述技术方案予以实现：在洁净环境中将作部分保护处理后的毫米波电路组件放入真空烘箱内进行真空干燥处理；然后放置在涂覆机室温真空沉积腔室的工装架上，并对腔室密封抽真空；在175℃下将对二甲苯环二聚体加热升华为气态送入涂覆机的裂解腔,使二甲苯环二聚体在680℃温度下，分子键断开裂解成具有反应活性的对二甲苯单体；将对二甲苯单体送入室温真空沉积室,使对二甲苯单体在毫米波电路组件表面上沉积并聚合形成派拉纶薄膜防护层。 | ||
| 搜索关键词： | 空气 沉积 毫米波 电路 组件 进行 防护 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用真空气相沉积膜对毫米波电路组件进行防护处理的方法，其特征在于包括下列步骤：a）在洁净环境中，对毫米波电路组件不需防护的部位，如电接触面，用保护工装、压敏胶带或可剥胶保护；b）将上述处理后的毫米波电路组件放入真空烘箱内进行真空干燥处理；c）然后将干燥处理后的毫米波电路组件放置在涂覆机室温真空沉积腔室的工装架上，密封抽真空至20mT以下；d）将对二甲苯环二聚体，在175℃下加热升华为气态；再把对二甲苯环二聚体气体送入涂覆机的裂解腔,使对二甲苯环二聚体在680℃温度下，分子键断开裂解成具有反应活性的对二甲苯单体；将对二甲苯单体送入室温真空沉积室, 使对二甲苯单体在毫米波电路组件表面上沉积并聚合形成派拉纶薄膜防护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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