[发明专利]基于高热稳定性薄膜作籽晶的再回收废弃超导块材方法有效

专利信息
申请号: 201210111194.3 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN102703981A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 姚忻;许恒恒;程玲;颜士斌;于德京 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B11/14
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于高热稳定性薄膜作籽晶的再回收废弃超导块材的方法。本发明通过将废弃的REBCO超导块材顶面磨平,使用NdBCO/YBCO/MgO薄膜作熔融生长籽晶;将整个废弃的块材连同籽晶一起放入炉中并升温至Tmax=1115℃后保温1.5小时,然后快速降温到开始温度Ts,再以0.3℃/小时的速度,缓慢降温生长,最终实现废弃REBCO块材的再回收。本发明的再回收方法简易可行,成本低廉;得到的再回收REBCO块材超导性能良好,在充分利用资源的同时,能有效降低REBCO超导块材的成本。
搜索关键词: 基于 高热 稳定性 薄膜 籽晶 回收 废弃 超导 方法
【主权项】:
一种基于高热稳定性薄膜作籽晶的再回收废弃超导块材方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将废弃的稀土钡铜氧超导块体材料顶面用砂纸磨平;步骤二、将NdBCO/YBCO/MgO薄膜放置在所述稀土钡铜氧超导块体材料的磨平面作籽晶;步骤三、将所述顶面磨平的废弃稀土钡铜氧超导块体材料连同所述籽晶放入开始温度为Ts的炉中;升温至Tmax=1115℃后保温1.5小时,然后快速降温到开始温度Ts;再以0.3℃/小时的速度,缓慢降温生长,实现废弃的稀土钡铜氧超导块体材料的再回收;所述开始温度Ts为1005‑1015℃。
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