[发明专利]基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法有效
| 申请号： | 201210111375.6 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102627255A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;张晓升;朱福运;褚世敢 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法，利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在硅基微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构，然后利用铸模方法将硅基微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上，再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理，降低表面能，从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。本发明可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，从而使得微流道表面具有超疏水特性，实现优异减阻的效果，并可进一步提高其稳定超疏水特性，从而极大地提高其减阻效果，且工艺简单，成本低廉，易于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 集成 加工 技术 植入 三维 减阻微流道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道制备方法，其特征是：利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构，然后利用铸模方法将微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上，再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理，降低表面能，从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。
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