[发明专利]基于微纳集成加工技术的三维减阻微流道结构及制备方法有效
| 申请号： | 201210111788.4 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102627256A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;张晓升;朱福运;褚世敢 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于微纳集成加工技术的三维减阻微流道结构及制备方法，涉及微加工技术领域。利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，增大其表面积和体积比；同时可在其表面淀积一层氟基聚合物，降低表面能，实现具有超疏水特性的表面结构，进而实现真正三维减阻微流道结构。本发明的有益效果：在不破坏原有微米尺度结构的基础上，生长高密度高深宽比纳米尺度锥尖阵列，可实现纳米森林对微米尺度沟槽的100％覆盖，从而实现真正的三维减阻微流道。可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，使得微流道表面具有超疏水特性，从而实现优异减阻的效果。工艺简单，成本低廉，易于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 集成 加工 技术 三维 减阻微流道 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于微纳集成加工技术的三维减阻微流道结构，其特征包括：硅基衬底，硅基盖板，微米尺度沟槽，纳米尺度锥尖阵列；硅基衬底和硅基盖板为单晶硅或多晶硅或无定形硅，其导电类型为N型或P型，厚度为50μm‑1000μm；硅基盖板键合于硅基衬底上；微米尺度沟槽制作于硅基衬底上，由硅基衬底和硅基盖板形成封闭腔体，横截面为倒三角形或倒梯形或半圆形，其特征尺寸为1μm‑1000μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210111788.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
