[发明专利]一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法

摘要

一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮化镓层表面生长铝镓氮层；通过第一次等离子体刻蚀，形成工作区域；通过第二次等离子体刻蚀形成源极和漏极接触区域；沉积源极和漏极金属；通过第三次等离子体刻蚀金属形成源极和漏极结构；高温退火形成源极和漏极欧姆接触；向栅极区域注入氟离子；沉积栅极金属；通过第四次等离子体刻蚀形成栅极结构；通过本发明所提供的方法可以提供与现有硅器件生产线相兼容的生产方法，避免了剥离过程所带来的污染问题，并提高产品良率。

主权项

一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面外延生长过渡层；在所述过渡层表面外延生长氮化镓层，在所述氮化镓层表面外延生长铝镓氮层； 依次刻蚀所述铝镓氮层和氮化镓层，形成工作区域；在所述工作区域的边缘刻蚀部分厚度的工作区域，形成具有阶梯形状的侧壁；形成覆盖所述工作区域的多层金属薄膜结构，所述多层金属薄膜结构自下而上依次为钛层、铝层、钨层;采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述多层金属薄膜结构，并在高温下退火，在所述侧壁表面形成源极和漏极； 形成所述源极和漏极之后，向栅极区域的铝镓氮层注入氟离子；在所述工作区域表面形成第二多层金属薄膜结构，刻蚀所述第二多层金属薄膜结构，并在高温下退火，形成栅极结构。