[发明专利]一种纳米电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201210112202.6 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102623175A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/005;H01G4/06 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米电容器的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett（LB）膜方法在基底上制备高密度中空纳米粒子薄膜作为电容器一个电极，然后在中空纳米粒子表面采用原子沉积（ALD）方法沉积介电纳米薄膜作为电容器介质材料，最后在介电薄膜上通过ALD方法沉积金属纳米薄膜作为电容器另一个电极，形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的纳米电容器及阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米电容器的制备方法，其特征在于，首先通过Langmuir‑Blodgett（LB）膜方法制备金属中空纳米粒子高密度有序排列结构作为电容器一个电极，然后通过原子层沉积方法在纳米粒子表面制备介电纳米薄膜作为电容器介质材料，最后采用原子层沉积方法在介电薄膜表面沉积金属薄膜作为电容器另外一个电极，从而获得一种金属‑绝缘体‑金属的纳米电容器结构。
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