[发明专利]异质栅隧穿晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210112464.2 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102629627A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 梁仁荣;刘立滨;王敬;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种后栅工艺的异质栅隧穿晶体管的结构及其形成方法，包括：衬底；形成在衬底之中的沟道区，沟道区两侧的源区和漏区，所述漏区和源区的掺杂类型相反；还包括形成在沟道区之上的栅堆叠，包括栅介质层，在栅介质层之上的第一栅电极和第二栅电极，且第一栅电极和第二栅电极具有不同的功函数；及形成在第一栅电极和第二栅电极两侧的第一真空侧墙和第二真空侧墙；由于本发明引入栅至漏区的真空侧墙，消弱栅对漏区的控制，减小栅漏电容；栅堆叠与器件的漏区之间存在一定可精准控制的距离，使得隧穿势垒路径增大，增大双极窗口；横向异质栅极功函数结构对沟道区的能带分布进行调制，显著减小晶体管的亚阈值斜率，提高驱动电流，增强器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 异质栅隧穿 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种异质栅隧穿晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成所述衬底之中及位于所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述漏区和所述源区的掺杂类型相反；形成在所述沟道区之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括：栅介质层；沿着从所述源区到所述漏区方向分布的且形成在所述栅介质层之上的第一栅电极和第二栅电极，且第一栅电极和第二栅电极具有不同的功函数；分别位于所述第一栅电极和第二栅电极两侧的第一真空或空气侧墙和第二真空或空气侧墙；其中，所述栅介质层的边缘与漏区的边缘具有一定的距离以使所述第二真空或空气侧墙不覆盖所述漏区。
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