[发明专利]一种八面体结构ZnGa2O4单晶的制备方法

摘要

一种八面体结构ZnGa2O4单晶的制备方法，将氧化镓溶解于盐酸中得悬浮液A；将乙酸锌加入在蒸馏水中得透明溶液B；将悬浮液A与透明溶液B混合后向混合溶液中加入乙二胺四乙酸，用氢氧化钠调节溶液的pH＝2-3得溶液C；将溶液C置于紫外灯下反应，然后在微波反应器中反应，直至水分挥发得到干凝胶；将得到的干凝胶研磨细，然后放入马弗炉中在400-600℃反应，即可得最终产物八面体结构ZnGa2O4单晶。本发明的有益效果体现在原料易得，设备成本低，操作简单，重复性好。

主权项

一种八面体结构ZnGa2O4单晶的制备方法，其特征在于：步骤一：将分析纯的氧化镓(Ga2O3)溶解于0.3‑0.8mol/L的盐酸中，不断搅拌制成Ga离子浓度为0.1‑0.5mol/L的悬浮液A；步骤二：将乙酸锌(Zn(CH3COO)2)加入在蒸馏水中并不断搅拌，配制成Zn离子浓度为0.1mol/L的透明溶液B；步骤三：将悬浮液A与透明溶液B按Zn∶Ga＝1∶1.4‑2的摩尔比混合并搅拌均匀，然后向混合溶液中按Zn+Ga∶分析纯的乙二胺四乙酸(EDTA)＝1∶1的摩尔比加入分析纯的乙二胺四乙酸(EDTA)，用分析纯的氢氧化钠调节溶液的pH＝2‑3，充分搅拌30‑60min得溶液C；步骤四：将溶液C置于紫外灯下反应10‑60min，然后在微波反应器中反应1‑3h，直至水分挥发得到干凝胶；步骤五：将得到的干凝胶研磨细，然后放入马弗炉中以2‑5℃/min的升温速率自室温升温至400‑600℃反应4‑8h，即可得最终产物八面体结构ZnGa2O4单晶。