[发明专利]上电复位电路有效

专利信息
申请号: 201210112743.9 申请日: 2012-04-17
公开(公告)号: CN103378830A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 李鸿雁;李玲 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 薛祥辉
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种上电复位电路,包括带隙基准电路和比较电路,带隙基准电路包括第一支路、第二支路和运放电路,第一支路在VDD与地之间包括依次连接的第一PMOS管、第一偏置电流模块,还包括与第一偏置电流模块并联的充电模块,第二支路在VDD与地之间包括依次连接的第二POMS管、第二偏置电流模块,第一PMOS管的漏极与运放电路的第一输入端和比较电路的第一输入端连接;第二PMOS管的漏极还运放电路的第二输入端和比较电路的第二输入端连接;运放电路的输出端与第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接,工作过程中,随着VDD的上升,第一支路和第二支路输出给比较电路的电压值相等,比较电路在判断输入的两电压值相等时输出上电复位信号。
搜索关键词: 复位 电路
【主权项】:
一种上电复位电路,包括带隙基准电路和比较电路,所述带隙基准电路包括第一支路、第二支路和运放电路;所述第一支路包括第一PMOS管、第一偏置电流模块和充电模块,所述第一PMOS管的源极与VDD连接,漏极与所述第一偏置电流模块的输入端连接,所述第一偏置电流模块的输出端接地,所述充电模块与所述第一偏置电流模块并联,所述第一PMOS管的漏极还与所述运放电路的第一输入端和所述比较电路的第一输入端连接,所述运放电路的输出端与所述第一MOS管的栅极连接;所述第二支路包括第二POMS管、第二偏置电流模块,所述第二PMOS管的源极与VDD连接,漏极与所述第二偏置电流模块的输入端连接,所述第二偏置电流模块的输出端接地;所述第二PMOS管的漏极还与所述运放电路的第二输入端和所述比较电路的第二输入端连接,所述运放电路的输出端还与所述第二PMOS管的栅极连接;所述运放电路用于根据所述第一支路和所述第二支路输入的电压值调整所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极电压;所述比较电路用于比较所述第一支路和所述第二支路输入的电压值,根据比较结果判断是否通过输出端输出上电复位信号。
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