[发明专利]一种发光二极管的制造方法有效
申请号: | 201210113231.4 | 申请日: | 2012-04-17 |
公开(公告)号: | CN103378219A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 郝茂盛;杨杰;张楠;王辰夷;蔺华妮 | 申请(专利权)人: | 上海蓝光科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管的制造方法,首先采用皮秒激光器按预设路径对所述蓝宝石衬底进行激光内切处理以在所述蓝宝石衬底内部形成内切图案,使蓝宝石衬底特定部位的结构发生变化,然后生长外延,制作发光外延结构,减薄所述蓝宝石衬底,然后沿内切图案进行裂片以完成制造。本发明采用先对蓝宝石衬底进行激光内切再进行发光层外延的工艺方法,可以避免由于激光直接或间接的对氮化镓照射而造成的损伤,有益于发光二极管发光亮度的提高及最终产品的良率提高,也避免了先在蓝宝石表面形成走道而造成发光外延产生边界效应的问题。本发明的制造方法工艺稳定,可重复性高,适用于工业生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管的制造方法,其特征在于,至少包括以下步骤:1)提供一蓝宝石衬底,按预设路径对所述蓝宝石衬底进行激光内切处理,以在所述蓝宝石衬底内部形成内切图案;2)在具有内切图案的蓝宝石衬底上表面依次形成N‑GaN层、量子阱层、及P‑GaN层及透明导电层;3)依据所述内切图案定义出多个发光二极管阵列,并于各该阵列上制备P电极及N电极;4)从所述蓝宝石衬底下表面对所述蓝宝石衬底进行减薄,直至露出所述蓝宝石衬底内部的内切图案;5)依据所述内切图案进行裂片,以完成所述发光二极管的制造。
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