[发明专利]石墨烯场效应晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210113271.9 申请日: 2012-04-17
公开(公告)号: CN102623508A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 尹金泽;魏芹芹;魏子钧;赵华波;傅云义;黄如;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/49;H01L21/04;B82Y10/00
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法,该场效应晶体管包括柔性衬底,在所述柔性衬底上设有源漏电极,以及连接源漏电极的石墨烯材料,在石墨烯材料上设有一裹着介质层的氧化锌纳米线,所述石墨烯材料作为沟道,所述氧化锌纳米线作为栅电极。本发明压电场效应晶体管通过施加外力来控制晶体管的工作状态。施加外力的方法有多种,可以人为手动施加,或通过超声的方法施加以及可以通过生物组织的振动(如心脏的跳动等)来施加。
搜索关键词: 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种石墨烯场效应晶体管,其特征在于,包括柔性基底,在所述柔性衬底上设有源、漏电极,以及连接源、漏电极的石墨烯材料,在石墨烯材料上设有一裹着介质层的氧化锌纳米线,所述石墨烯材料作为沟道,所述氧化锌纳米线作为栅电极。
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