[发明专利]多位存储元件、存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210113464.4 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832337A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李昌范;金昌桢;金英培;李明宰;李东洙;张晚;李承烈;金京旻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储元件，所述存储元件包括：第一电极；第二电极，与第一电极分隔开；存储层，位于第一电极和第二电极之间；辅助层，位于存储层与第一电极和第二电极中的一个电极之间，辅助层为存储层提供多位存储特性。
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