[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210113568.5 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103377928A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区，在所述半导体衬底表面形成硬掩膜层；去除所述器件区的部分硬掩膜层，并以剩余的硬掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底内形成若干开口；采用晶向各向异性湿法刻蚀所述开口侧壁，形成悬空的纳米线；去除剩余的硬掩膜层，并对所述纳米线进行热退火处理，使所述纳米线的横截面变为圆形。所述半导体结构的形成方法能够减少成本，且使所述半导体结构易于与基于硅基底的半导体器件集成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区，所述半导体衬底的材料为硅、硅锗或碳化硅；在所述半导体衬底表面形成硬掩膜层；去除所述器件区的部分硬掩膜层，并以剩余的硬掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底内形成若干开口；采用晶向各向异性湿法刻蚀所述开口侧壁，形成悬空的纳米线；去除剩余的硬掩膜层，并对所述纳米线进行热退火处理，使所述纳米线的横截面变为圆形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210113568.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型开关柜用断路器手车
- 下一篇：具挡余光结构之透镜及其模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
