[发明专利]稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210114614.3 申请日: 2012-04-19
公开(公告)号: CN102605425A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B11/00
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法,其化学式为RE3+:PbClF,其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。
搜索关键词: 稀土 离子 掺杂 氯化 激光 基质 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体,其化学式为RE3+:PbClF,其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。
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