[发明专利]增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法无效
| 申请号： | 201210115218.2 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102646754A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王荣新;付凯;杨乐臣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其包括如下步骤：1)采用GaN外延片作为衬底材料；2)在所述GaN外延片上沉积一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜；3)将所述一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜与GaN外延片的表面之间形成肖特基接触；以及4)在所述一层掺镓氧化锌(GZO)薄膜的表面上沉积Ti/Au，作为加厚电极。本发明的制备工艺简单，器件成本低，同时还提高了器件的紫外探测灵敏度，适于日盲紫外探测器的工业化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 光电 响应 紫外 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强日盲光电响应的紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：1)采用GaN外延片作为衬底材料；2)在所述GaN外延片上沉积一层掺镓氧化锌薄膜；3)将所述一层掺镓氧化锌薄膜与GaN外延片的表面之间形成肖特基接触；以及4)在所述一层掺镓氧化锌薄膜的表面上沉积Ti/Au，作为加厚电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
