[发明专利]具有低正向电压的发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210116522.9 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751406A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;王红梅;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 亚威朗集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;杨文娟 |
| 地址： | 中国香港中环*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种降低正向电压的发光器件，通过采用二维电子气(2DEG)和二维空穴气(2DHG)结构获得优良横向导电性。更具体说，就是通过在2DEG和2DHG结构中形成的垂直导电通道来提高2DEG和2DHG结构的纵向导电性，导电通道是在2DEG和2DHG结构中形成的非连续结构，该非连续结构可以是通过刻蚀2DEG或2DHG结构形成的开口，或是通过外延晶面控制在粗化表面上生长2DEG或2DHG结构而形成的孔洞。非连续结构也可以通过垂直错开2DEG结构而形成。还提供了一种制造降低正向电压的发光器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 正向 电压 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包含：二维电子气(2DEG)结构；在二维电子气结构上形成的N型层；P型层；和夹在N型层和P型层之间的激活层，其中所述二维电子气结构包含一对或多对N型氮化镓层和N型铝镓氮层，每对N型氮化镓层和N型铝镓氮层的界面构成2DEG通道，在二维电子气结构中形成一组非连续结构以暴露2DEG通道，在二维电子气结构上形成所述N型层，以通过非连续结构与2DEG通道电性相连。
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