[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210116833.5 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623638A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭胜虎;毛俊;蔡一茂;潘岳;杨庚雨;唐昱;黄英龙;林増明;罗长宝 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其特征在于，阻变材料层是对氧化物进行N+离子注入后生成的氮氧化合物，所述N+离子注入的剂量范围为1012/cm2‑1019/cm2。
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