[发明专利]高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210116870.6 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102653622A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 宋洪松;杨程 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/06;C08K3/24;C08J5/18;B29C43/58 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 梁瑞林 |
| 地址： | 10009*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于复合材料领域，涉及对高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料制备方法的改进。本发明制备的步骤是：填料预处理；配料；配制原料混合液；涂膜；热压成形。本发明提供了制备高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料的新方法，进一步提高了复合介电材料的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 陶瓷 聚合物 复合 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料的制备方法，其特征在于，制备的步骤如下：1.1、填料预处理：将硅烷偶联剂Si69滴加到钛酸铜钙陶瓷粉中，所滴加的硅烷偶联剂Si69的质量占钛酸铜钙陶瓷粉质量的5％～30％，搅拌均匀，然后置于150℃烘箱中烘烤5min～15min；1.2、配料：按照比例量取聚偏氟乙烯和预处理后的钛酸铜钙陶瓷粉末；钛酸铜钙陶瓷粉末所占的体积百分比为10％～40％，钛酸铜钙陶瓷粉末的颗粒尺寸为10μm～500μm，余量为聚偏氟乙烯；1.3、配制原料混合液：将量取的钛酸铜钙陶瓷粉末与聚偏氟乙烯置于容器中，倒入N，N‑二甲基甲酰胺，聚偏氟乙烯与N，N‑二甲基甲酰胺的体积比为1∶(15～20)，放入磁力搅拌器中搅拌1h～2h，制成原料混合液；1.4、涂膜：将原料混合液在玻璃板上涂膜，涂层厚度为0.1mm～0.8mm，自然干燥后揭下形成复合介电膜；1.5、热压成形：将复合介电膜铺在成形模具中，在热压机上压制，压制温度为180℃～220℃、压强为10MPa～20MPa，保压时间10min～20min，制成高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料。
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