[发明专利]对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法有效
申请号: | 201210116937.6 | 申请日: | 2012-04-19 |
公开(公告)号: | CN102664142A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 韩晓霞 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G06F17/50 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法,包括步骤:提取标准单元的位置信息;对标准单元位置进行排序;判断相邻的标准单元是否存在间距;若存在间距,则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列;若不存在间距,则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列;以及,对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。本发明的方法基于现有的ASIC设计流程,对已完成设计的版图进行优化,不需要修改标准单元库,因此操作简单且与现有ASIC设计流程相兼容;本发明方法仅对现有版图进行微调,不影响版图的LVS和DRC检查,也不会增加版图面积。 | ||
搜索关键词: | 现有 版图 填充 冗余 多晶 阵列 插入 方法 | ||
【主权项】:
一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法,其特征在于,包括步骤:(1)提取标准单元的位置信息;所述的标准单元的位置信息即标准单元在版图中的相对位置坐标X和Y;(2)基于提取的位置信息,对标准单元位置进行排序;(3)判断相邻的标准单元是否存在间距;(4)若存在间距,则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列;若不存在间距,则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列;(5)对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造