[发明专利]虚拟结构和方法有效
| 申请号： | 201210116984.0 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102779744A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·许布英格;科斯廷·肯默;斯特芬·罗滕哈伊泽尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/762;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了虚拟结构和方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成材料层；使用第一主图案来图案化第一半球区域；使用第二主图案来图案化第二半球区，其中，第一主图案与第二主图案不同。所述方法还包括在第一半球区域中引入第一虚拟图案，从而使得第一半球区域中第一主图案和第一虚拟图案的第一侧壁区表面密度与第二半球区中第二主图案的第二侧壁区表面密度基本相同。 | ||
| 搜索关键词： | 虚拟 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成材料层；使用第一主图案来图案化第一半球区域；使用第二主图案来图案化第二半球区域，其中，所述第一主图案与所述第二主图案不同；以及在所述第一半球区域中引入第一虚拟图案，从而使得所述第一半球区域中的所述第一主图案和所述第一虚拟图案的第一侧壁区表面密度与所述第二半球区域中的所述第二主图案的第二侧壁区表面密度基本相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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