[发明专利]用于半导体装置的导线构造及其制造方法无效
| 申请号： | 201210116996.3 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102664173A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 唐和明;翁肇甫;叶昶麟;洪志斌;赖逸少 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄巿*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于半导体装置的导线构造及其制造方法，所述导线构造包括先加热一含铟材料，使所述含铟材料熔化形成一含铟焊球；并提供一铜导线，所述铜导线具有一前端；以及，使所述铜导线的前端与所述含铟焊球相结合，以构成一导线构造。所述铜导线通过所述含铟焊球的媒介而结合在一芯片的一接垫上，因此可确保所述接垫的结构完整性，以便提升铜导线的打线工艺的加工质量及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 导线 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体装置的导线构造，其特征在于，包含：一铜导线，具有一前端；以及一含铟焊球，结合在所述铜导线的前端，其中所述铜导线的前端插入所述含铟焊球内，以构成一导线构造。
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