[发明专利]用于防止光攻击的保护电路的半导体器件以及运行方法有效
| 申请号： | 201210117246.8 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751262A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | T.屈内蒙德;D.蒂申多夫;U.维德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/74 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;李家麟 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于防止光攻击的保护电路的半导体器件以及运行方法。具有半导体衬底20的半导体器件100，其中在该半导体衬底20中构造具有沟槽接线端子5的经掺杂的沟槽10和具有至少一个电势接线端子35的晶体管结构30，其中所述晶体管结构30具有寄生晶闸管40并且至少部分布置在经掺杂的沟槽10中，其中所述电势接线端子35和所述沟槽接线端子5通过电阻R连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防止 攻击 保护 电路 半导体器件 以及 运行 方法 | ||
【主权项】：
具有半导体衬底（20）的半导体器件（100），其中在半导体衬底（20）中构造具有沟槽接线端子（5）的经掺杂的沟槽（10）和具有至少一个电势接线端子（35）的晶体管结构（30），其中晶体管结构（30）具有寄生晶闸管（40），所述寄生晶闸管部分布置在经掺杂的沟槽（10）中，其中电势接线端子（35）和沟槽接线端子（5）通过电阻（R）连接。
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