[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201210117261.2 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102903702A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 折附泰典;油谷直毅;樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/78;H01L23/522;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够以少的工序数形成并且具备耐热性优良的温度检测元件的碳化硅（SiC）半导体装置。SiC半导体装置具备：半导体元件，形成在SiC基板（1）上；源极电极（15）以及栅极焊盘（16），使用在底面具备势垒金属（14）的布线层形成；测温电阻体（20），使用该布线层的势垒金属（14）的一部分形成。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件，形成于碳化硅基板；布线层，配设在所述碳化硅基板上，在底面具备势垒金属；以及测温电阻体，使用所述布线层的所述势垒金属的一部分形成。
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