[发明专利]一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210117503.8 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102636282A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨丽红;赵源深;陈皓帆;孙骞;孙金祥;周华;徐敏;关超 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01K7/04 | 分类号： | G01K7/04 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO2薄膜阻挡层；所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。本发明的一种高频响薄膜热电极温度传感器灵敏度高，同时避免了Cu和CuNi薄膜热电极在高温测试过程中发生脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 薄膜 电极 温度传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，其特征在于还包括SiO2薄膜阻挡层； 所述SiO2薄膜阻挡层采用磁控溅射法镀制于单晶硅基底的上表面； 所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极溅射在SiO2薄膜阻挡层上，且所述的Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极在SiO2薄膜阻挡层上搭接形成一个热结点块；所述的两根温度补偿导线分别用导电银胶与Cu薄膜热电极、CuNi薄膜热电极相连。
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