[发明专利]一种图形化石墨烯的转移制备方法有效
| 申请号： | 201210117732.X | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102637584A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 耿柏松;王枫;闫鹏勋;卓仁富;吴志国;王君;闫德 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种图形化石墨烯的转移制备方法，该方法包括如下步骤：先在生长在催化金属衬底上的石墨烯表面按照设计的图案涂覆粘性材料；再在石墨烯表面涂覆一层PDMS，加热固化；将得到的样品浸泡在腐蚀溶液中，腐蚀去掉催化金属衬底，黏附有粘性材料和PDMS的石墨烯漂浮在溶液中；将所得黏附有粘性材料和PDMS的石墨烯转移到目标衬底上；再将PDMS从上述目标衬底剥离，得到图形化的石墨烯。本发明的方法对目标衬底的材料使用上没有限制，在剥离PDMS时，能够得到预想的图形，不会对石墨烯造成额外的结构性破损，同时保持石墨烯表面洁净，无需昂贵的刻蚀设备，即可实现图形化石墨烯制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 化石 转移 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图形化石墨烯的转移制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在生长在催化金属衬底上的石墨烯样品表面按照设计的图案涂覆粘性材料；（2）再在整个样品表面涂覆一层PDMS保护层；（3）将步骤（2）得到的样品浸泡在腐蚀溶液中，腐蚀去掉催化金属衬底，使黏附有粘性材料和PDMS保护层的石墨烯漂浮在溶液中；（4）将步骤（3）所得黏附有粘性材料和PDMS保护层的石墨烯转移到目标衬底上；（5）再将PDMS保护层从目标衬底剥离，得到图形化的石墨烯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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